di Ruchita R Patel, Nitingiri N Gosai · Edizioni Sapienza · tapa blanda · ISBN 9786208907594
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«Studio della crescita, della struttura e della PEC di semiconduttori a cristallo singolo di GeSePb» è uno studio di Ruchita R Patel e Nitingiri N Gosai.
Analizza la crescita di cristalli singoli del semiconduttore GeSePb tramite trasporto di vapore, studiando difetti e condizioni ottimali. Esamina struttura e composizione con diffrazione a raggi X ed EDAX, e il suo uso in celle solari fotoelettrochimiche (PEC), con proprietà fisiche e chimiche.
Pubblicato da Edizioni Sapienza nel 2025; testo in italiano, 148 pagine.
Per interessati alla fisica dei semiconduttori, crescita dei cristalli e celle solari fotoelettrochimiche.
Tapa blanda
